輸入電壓范圍：AC100-240V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：6A。
簡化程序調(diào)試。
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶指定值三菱Q173DCPU編程手冊。
以往在調(diào)試特定回路程序段時，需要追加設(shè)定軟元件的程序，
而目前通過使用本功能，無需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨執(zhí)行動作Q173DCPU
因此，不需要單獨為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡單。
通過軟元件擴展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴展到60K點，使程序更容易理解。
自動備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
將程序和參數(shù)文件自動保存到無需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失三菱Q173DCPU編程手冊。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長假期間等計劃性停機時，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時，備份的數(shù)據(jù)將自動恢復(fù)。輸入輸出點數(shù)：512點。
輸入輸出數(shù)據(jù)設(shè)備點數(shù)：8192點。
程序容量：28k。
基本命令處理速度(LD命令)：0.2μS。
指令執(zhí)行所需的時間和用戶程序的長短、指令的種類和CPU執(zhí)行速度是有很大關(guān)系，
一般來說，一個掃描的過程中，故障診斷時間，
通信時間，輸入采樣和輸出刷新所占的時間較少，
執(zhí)行的時間是占了絕大部分。
光電耦合器由兩個發(fā)光二極度管和光電三極管組成。
發(fā)光二級管：在光電耦合器的輸入端加上變化的電信號，
發(fā)光二極管就的照射下導(dǎo)通，向內(nèi)部電路輸入信號三菱Q173DCPU編程手冊。
當(dāng)開關(guān)斷開，二極管不發(fā)光，三極管不導(dǎo)通。向內(nèi)部電路輸入信號。
也就是通過輸入接口電路把外部的開關(guān)信號轉(zhuǎn)化成PLC內(nèi)部所能接受的數(shù)字信號。
光電三級管：在光信號的照射下導(dǎo)通，導(dǎo)通程度與光信號的強弱有關(guān)。
在光電耦合器的線性工作區(qū)內(nèi)，輸出信號與輸入信號有線性關(guān)系。
用戶程序存儲容量：是衡量可存儲用戶應(yīng)用程序多少的指標(biāo)。
通常以字或K字為單位。16位二進制數(shù)為一個字，
每1024個字為1K字。PLC以字為單位存儲指令和數(shù)據(jù)。
一般的邏輯操作指令每條占1個字。定時/計數(shù)，
移位指令占2個字。數(shù)據(jù)操作指令占2~4個字。
輸入輸出點數(shù)：4096點。
輸入輸出元件數(shù)：8192點。
程序容量：26 k步。
處理速度：79ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內(nèi)置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的內(nèi)置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數(shù)據(jù)也可高速處理。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴擴展到文件寄存器的所有區(qū)域Q173DCPU手冊Q173DCPU手冊。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。