長距離擴(kuò)展超過12m（最大50m），（帶2個(gè)終端電阻）。
提高指令執(zhí)行速度和總體性能
除了進(jìn)一步改進(jìn)指令執(zhí)行引擎(總體PLC性能能可并行處理指令執(zhí)行和外圍處理的模式，從而的核心)，
RISC集成電路塊也已升級(jí)，可實(shí)現(xiàn)總體速度的平衡改進(jìn)原裝C200H-COV11。
業(yè)界最快的指令執(zhí)行性能。
在浮點(diǎn)十進(jìn)制和字符串之間轉(zhuǎn)換。
新CS1可將浮點(diǎn)十進(jìn)制(實(shí)數(shù))轉(zhuǎn)換為字符串(ASCII)，
以供顯示在PT(操作員界面)中C200H-COV11
這此數(shù)據(jù)可作為字符串顯示元索顯示在PT上原裝C200H-COV11。
新CS1可將通過串行通信從測量設(shè)備讀取的ASCII字符串轉(zhuǎn)換為適用于數(shù)據(jù)處理的浮點(diǎn)十進(jìn)制數(shù)據(jù)。
PID自動(dòng)調(diào)整
新CS1可使用PID控制指令自動(dòng)調(diào)整PID常數(shù)。
限制周期方式用于自動(dòng)調(diào)整，因此可快速完成調(diào)整。
這對于多回路PID控制非常有效原裝C200H-COV11。
高精度定位(使用XY表)
新csl具有許多雙精度處理指令可用于浮點(diǎn)十進(jìn)制運(yùn)算，
從而支持以更高精度定位。
錯(cuò)誤狀態(tài)生成以供調(diào)試
通過執(zhí)行診斷指令((FAL/FALS),可模擬指定錯(cuò)誤狀態(tài)。
在新CS1中，對于根據(jù)CPU單元的錯(cuò)誤狀態(tài)在PT或其他顯示設(shè)備上顯示信息的應(yīng)用，
調(diào)試非常簡單omron cj2m-cpu32。程序容量：15.2K字。
RS-232端口：無。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：4K字。
擴(kuò)展數(shù)據(jù)內(nèi)存(EM)：6K字。
處理時(shí)間(基本指令)：0.15μs。
I/O點(diǎn)數(shù)：880點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展單元的臺(tái)數(shù)：2臺(tái)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：5臺(tái)(2單元占用單元)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：10臺(tái)(1單元占用單元)omron cj2m-cpu32。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：10臺(tái)(1單元占用單元)。
提高開發(fā)效率。
加速應(yīng)用現(xiàn)場情報(bào)化。
用簡易的通信連接簡化系統(tǒng)開發(fā)。
走向情報(bào)化、標(biāo)準(zhǔn)化及開放式，始終注視著下一世紀(jì)的生產(chǎn)現(xiàn)場omron cj2m-cpu32。
推進(jìn)網(wǎng)絡(luò)多路化控制的實(shí)現(xiàn)。
通信協(xié)議宏功能。標(biāo)準(zhǔn)型。
電源規(guī)格：DC24V。
輸入點(diǎn)數(shù)：36點(diǎn)。
輸出點(diǎn)數(shù)：24點(diǎn)。
輸出型：晶體管(漏型)。
程序容量：8K步。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量：8K字。
帶智能輸入功能的簡易輸入編輯器。
當(dāng)在梯形圖編輯模式下通過鍵盤輸入指令時(shí)，
會(huì)自動(dòng)顯示提示的指令并且自動(dòng)輸入相應(yīng)地址。
連接線會(huì)根據(jù)光標(biāo)位置自動(dòng)插入，使梯形圖編程更加直觀。
只需市售的USB電纜即可實(shí)現(xiàn)連接。
CP1E上備有外設(shè)(USB)端口。
使用市售的USB電纜即可連接計(jì)算機(jī)，
而無需USB轉(zhuǎn)換電纜或特種電纜，
從而簡化了連接并降低了電纜成本。
對應(yīng)更多的全球競爭的設(shè)備控制。
與CPM系列相比CP1E提供了更高的性價(jià)比提供了更高的性價(jià)比。
進(jìn)深比標(biāo)準(zhǔn)型縮短6mm。
裝上RS-232C連接器時(shí)，進(jìn)深縮短20mm。容量：16K字。
在C200HX\C200HG\C200HE CPU內(nèi)安裝EEPROOM內(nèi)存卡，
給CPU讀寫程序序和I/O數(shù)據(jù)歐姆龍。
EEPROM內(nèi)存卡不需要任何后備電源，
即使把它從CPPPU上取下，仍能保持其數(shù)據(jù)原裝C200H-COV11。
EEPROM內(nèi)存卡有一個(gè)存儲(chǔ)保護(hù)開關(guān)(SW1)。
ON：EEPROM內(nèi)存卡數(shù)據(jù)受到保護(hù)，禁止寫入。
OFF：數(shù)據(jù)可以寫入EEPROM內(nèi)存卡，出廠前SW1置為OFF，可以寫步。
C200H-COV11操作手冊/說明書/選型樣本下載地址: /searchDownload.html?Search=C200H-COV11&select=5