1軸，開路集電極輸出型。
控制單位：mm、英寸、度、脈沖。
定位數(shù)據(jù)數(shù)：600個數(shù)據(jù)/軸。
大脈沖輸出：200Kpps。
40針連接器。
定位模塊。
開路集電極輸出型三菱Q2MEM-4MBF。
差分驅(qū)動器輸出型。
根據(jù)用途分為開路集電極輸出型和差分驅(qū)動器輸出型 2 種類型。
差分驅(qū)動器輸出型定位模塊可將高速指令脈沖 ( 高 4Mpps) 可靠地傳輸至伺服放大器，
傳輸距離可達 10 米，實現(xiàn)高速的控制Q2MEM-4MBF
（開路集電極型定位模塊的指令脈沖高為200kpps。）輸入：4通道。
鉑電阻(Pt100；JPt100)三菱Q2MEM-4MBF。
無加熱器斷線檢測功能。
采樣周期：0.5s/4通道。
18點端子臺。
尖峰電流功能。
可防止同時打開輸出以控制尖峰電流，有助于節(jié)能及降低運行成本。
同時升溫功能。
使多個回路同時達到設(shè)置值，以進行均勻的溫度控制，
有助于防止空載并有效節(jié)能及降低運行成本。
自動調(diào)整功能。
可在控制過程中自動調(diào)節(jié)PID常數(shù)三菱Q2MEM-4MBF。
可降低自動調(diào)整成本（時間、材料和電能）。
可靈活進行各種設(shè)置，實現(xiàn)佳溫度控制的溫度調(diào)節(jié)模塊。
針對擠壓成型機等溫度控制穩(wěn)定性要求高的設(shè)備，
溫度調(diào)節(jié)模塊具有防過熱和防過冷的功能。
可根據(jù)控制對象設(shè)備，選擇標(biāo)準(zhǔn)控制（加熱或冷卻）或加熱冷卻控制（加熱和冷卻）模式三菱線性快閃存儲卡。
此外，也可選擇混合控制模式（結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)控制和加熱-冷卻控制）。輸出點數(shù)：64點。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.1A/點；2A/公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時間：1ms。
32點1個公共端。
源型。
40針連接器。
帶熱防護。
帶浪涌吸收器。
帶保險絲。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設(shè)備故障分析時間和啟動時間三菱線性快閃存儲卡。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化三菱線性快閃存儲卡。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進行顯示。
高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄寄存器擴展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴擴展到文件寄存器的所有區(qū)域三菱Q2MEM-4MBFQ2MEM-4MBF。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。